2 結(jié)果與分析

2.1 環(huán)境因素對EGCG氧化聚合的影響

2.1.1 溶液體系對EGCG氧化聚合的影響

實驗設置了H₂O、RPMI1640、DMEM(pH=7)3種溶液體系，比對不同的溶液對EGCG氧化聚合的影響。如圖1所示，在相同EGCG濃度下，RPMI1640、DMEM兩種培養(yǎng)基的OD₅₇₈值極顯著高于H₂O(P＜0.001)；對比兩種培養(yǎng)基，DMEM的OD₅₇₈值高于RPMI1640，即三種溶液體系促進EGCG氧化聚合率的排序為：DMEM＞RPMI1640＞H₂O。

2.1.2 溫度對EGCG氧化聚合的影響

實驗設置了37和74℃研究溫度對EGCG氧化聚合率的影響。如圖2所示，在以RPMI1640為溶液體系下，除最高EGCG濃度320μmol/L外，各濃度組74℃的氧化聚合率均顯著高于37℃(P＜0.05)，即高溫促進EGCG的氧化聚合。

2.1.3 EGCG濃度對自身氧化聚合的影響

小同濃度的EGCG(0、20、40、80、320μmol/L)分別以H₂0、RPMI1640、DMEM(pH=7)三種溶液體系，反應3、6、12、24h。結(jié)果顯示，以H₂0為溶液的各EGCG濃度組問無顯著差異(圖3i，i，k，1)；以RPMI1640和DMEM為溶液體系的3h組，各濃度間也無顯著差異(圖3a，e)，其余各組均隨著EGCG濃度的升高，OD₅₇₈顯著上升(P＜0.05)(圖3b，c，d，f，g，h)，即高濃度促進EGCG的氧化聚合。

2.1.4 反應時間對EGCG氧化聚合的影響

實驗設置了4個反應時問，探討時問對EGCG氧化聚合的影響。通過EGCG濃度及溶液環(huán)境對其自動氧化影響的結(jié)果顯示，培養(yǎng)液及高濃度的EGCG促進其氧化聚合，因此，對比了320μmol/L的EGCG在RPMI1640培養(yǎng)基中各時問點OD₅₇₈的變化。如圖4顯示，12和24h的OD。極顯著高于3h(P＜0.001)，即在高濃度下，隨著作用時問延長，EGCG氧化聚合率顯著增加。

2.1.5 pH對EGCG氧化聚合的影響

實驗設置了pH=5和9探討pH對EGCG氧化聚合的影響，選用RPMI1640和H₂0兩種溶液條件，37℃時分別比較了不同pH條件下的OD值變化。如圖5a所示，以RPMll640作為溶液環(huán)境，各濃度下兩種pH的OD₅₇₈均有極顯著差異(P＜0.001)，pH=5時各濃度組OD。變化不顯著(P＞0.05)；pH=9時OD₅₇₈隨著EGCG濃度的升高顯著增大(P＜0.05)。當以H₂0作為溶液環(huán)境，pH=5各濃度OD₅₇₈值均極顯著低于pH=9的OD₅₇₈值(P＜0.001)，如圖5b，綜合各組結(jié)果，堿性環(huán)境較酸性環(huán)境促進EGCG的氧化聚合。

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